0–50 V 0–5000 A polükristallilisest ränist toiteallika esiletõstetud pilt

0-50V 0-5000A polükristalliline räni toiteallikas

Toote kirjeldus:

Tehnilised andmed:

Sisendparameetrid: 3-faasiline, AC480V±10% ,60HZ

Väljundparameetrid: DC 0~50V 0~5000A

Väljundrežiim: tavaline alalisvoolu väljund

Jahutusmeetod: õhkjahutus/ vesijahutus

Toiteallika tüüp: IGBT-põhine

Rakendustööstus: polükristallilise räni vähendamise ahju rõhk ja vähendamine, kristallide kasv

Toote suurus: 87*82,5*196cm

Netokaal: 460 kg

Saatke meile e-kiri

Spetsifikatsioon
Segisti tüüp	Vannitoa valamusegistid,
Installi tüüp	Keskseade,
Paigaldusaugud	Üks auk,
Käepidemete arv	Üks käepide,
Lõpeta	Ti-PVD,
Stiil	riik,
Voolukiirus	max 1,5 GPM (5,7 l/min),
Klapi tüüp	keraamiline klapp,
Külm ja kuum lüliti	jah,
Mõõtmed
Üldkõrgus	240 mm (9,5 tolli),
Tila kõrgus	155 mm (6,1 tolli),
Tila pikkus	160 mm (6,3 tolli),
Segisti keskus	Üks auk,
Materjal
Segisti korpuse materjal	messing,
Segisti tila materjal	messing,
Segisti käepideme materjal	messing,
Lisaseadmete teave
Klapp kaasas	jah,
Kaasas äravool	ei,
Kaalud
Netokaal (kg)	0,99,
Saadetise kaal (kg)	1.17,

funktsiooni

Sisendparameetrid

Vahelduvvoolu sisend 480v±10% 3 faas
Väljundi parameetrid

DC 0-50V 0-5000A pidevalt reguleeritav
Väljundvõimsus

250 kW
Jahutusmeetod

sundõhkjahutus / vesijahutus
PLC analoog

0-10V/ 4-20mA/ 0-5V
Liides

RS485/RS232
Juhtrežiim

kaugjuhtimispuldi disain
Ekraanikuva

digitaalne ekraan
Mitu kaitset

puudulik faas ülekuumenemine ülepinge ülevool lühis
Juhtimisviis

PLC / mikrokontroller

Mudel ja andmed

Mudeli number	Väljundi pulsatsioon	Praegune kuva täpsus	Voltide kuvamise täpsus	CC/CV täpsus	Ramp üles ja ramp alla	Üle tulistada
GKD50-5000CVC	VPP≤0,5%	≤10mA	≤10mV	≤10mA/10mV	0~99S	No

Tooterakendused

Polüräni on elementaarse räni vorm. Kui sula elementaarne räni tahkub ülejahutuse tingimustes, paiknevad räni aatomid teemantvõre kujul paljudeks kristalli tuumadeks. Kui need kristalli tuumad kasvavad erineva kristallitasandi orientatsiooniga teradeks, siis need terad ühinevad, et kristalliseeruda polükristalliliseks räniks.